特許
J-GLOBAL ID：200903024407155760

半導体レーザの製造方法および組立装置

発明者：
吉田 保明

吉田 保明 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-234459
公開番号（公開出願番号）：特開2009-070847
出願日： 2007年09月10日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】LDチップの端面近傍における劣化を防止する半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】この発明に係るLDの製造方法は、バルブ60を介してガスボンベ58に接続された給気口56とバルブ66を介して真空ポンプ64に接続された排気口62とを有する密閉室52にLD本体トレー68に搭載したLD本体12とキャップトレー70に搭載したキャップ14とを入れ、バルブ60を閉じてバルブ66を開き密閉室52を減圧する工程と、この工程に続きバルブ60を開き減圧されている密閉室52に乾燥気体を注入する工程と、この乾燥気体中でキャップ14とLD本体12のステム16の表面とを電気溶接装置54により溶接し気密封止する工程とを含むものである。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
互いに対向する第1と第2の主面を有しこの第1と第2の主面を貫通する複数の貫通孔を有する基体、この基体の第1の主面上に台座を介して配設され、レーザ光出射端面に被覆膜が形成された半導体レーザチップ、及び上記基体の貫通孔に挿入されこの基体の第2の主面に突出し封止材を介して上記基体に固着されるとともに信号線を介して上記半導体レーザチップに接続された複数の棒状端子を備えた半導体レーザ本体を準備するとともに半導体レーザ本体の半導体レーザチップ上にかぶせる蓋状体を準備する工程と、 半導体レーザ本体に配設された半導体レーザチップのレーザ光出射端面上の被覆膜から水分を除去する工程と、 半導体レーザチップの上記被覆膜から水分を除去する工程に続けて半導体レーザ本体を乾燥気体により取りかこむとともにこの乾燥気体により上記蓋状体を取りかこむ工程と、 半導体レーザ本体と蓋状体とが取りかこまれた乾燥気体中において、半導体レーザ本体の半導体レーザチップ上に蓋状体をかぶせ、蓋状体と基体の第1の主面とを封止する工程と、 を含む半導体レーザの製造方法。
IPC (1件)：
H01S 5/022
FI (1件)：
H01S5/022
Fターム (8件)：
5F173MA05 ,  5F173MB01 ,  5F173MC05 ,  5F173ME03 ,  5F173ME22 ,  5F173ME65 ,  5F173ME86 ,  5F173ME90
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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