特許

J-GLOBAL ID：200903024409305956

太陽電池におけるコンタクト構造の製造方法

発明者： ルードマン, ラルフ ,  シェーファー, セバスチャン
出願人/特許権者： フラウンホーファ-ゲゼルシャフト ツァー フォルデルング デア アンゲバンデン フォルシュンク エー. ファオ.
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-546401
公開番号（公開出願番号）：特表2002-513212
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2002年05月08日
要約：

【要約】本発明は、半導体部品におけるコンタクト構造の製造工程に関するものであり、特に太陽電池などのそうしたコンタクト構造を持つ半導体部品に関する。本発明の一態様によれば、夫々層の連続(2)である第1の層上にエッチングマスク(3)を位置した後、その下の第2の層(1)まであるいは中まで凹部がエッチングされる。エッチングマスク(3)がアンダーカットされる、および/または第1の層(2)の少なくとも一つの領域が負の側面を含むように、エッチングが行われる。続いて、エッチングマスク(3)または電気的導電性物質(9)の導入のためのシャドウマスクを形成する第1の層(2)を用いてこの物質が凹部へ導入される。前記導電性物質(9)と前記第1の層または前記第1の連続層(2)間にコンタクトが生じないような高さまでのみ、この導電性物質が導入される。これらの構造により、初めて、付加的なマスキングを用いることなくエミッタ層を通じてベースへのコンタクティングが可能となる。本発明により、太陽電池上の金属コンタクトの製造をより簡素に、コスト的により有利にすることが可能である。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの第1の層または第2の層(1)上の1つの第1の連続層(2)を有する太陽電池におけるコンタクト構造の製造方法であって、 コンタクト構造を決定するエッチングマスク(3)を前記第1の層または前記第1の連続層(2)上に位置させるステップと、 前記エッチングマスク(3)がアンダーカットされるように、前記エッチングマスク(3)に規定される部分で前記第1の層または前記第1の連続層(2)を通じて、その下の前記第2の層(1)まであるいは中まで凹部をエッチングするステップと、 前記凹部に電気的導電性物質(9)を導入し、前記エッチングマスク(3)は前記物質を導入するためのシャドウマスクを形成し、前記導電性物質(9)と前記第1の層または前記第1の連続層(2)間にコンタクトが生じないように、前記導電性物質が導入されるのみであるようにするステップと、 引き続く前記エッチングマスク(3)の除去ステップとからなることを特徴とする太陽電池におけるコンタクト構造の製造方法。

Fターム (3件)：

5F051FA13 ,  5F051FA19 ,  5F051FA24