特許

J-GLOBAL ID：200903024409565931

半導体製造装置

発明者： 柳沼 禎浩
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332087
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181176
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】低圧(減圧)CVD法による半導体製造装置において、内部空間が反応室となる円筒状反応管の一方の開放端面にシール材を介して押圧される円板状反応室フランジ中央部の開口を貫通し被処理体を反応室内の均熱領域へ移動させる直線駆動軸を有する直線移動機構が小型化されかつ移動時に直線駆動軸まわりの空間から薄膜物質が反応室内へ舞い上がらないようにすることのできる装置構成を提供する。【構成】反応室フランジ6の反応室1と反対の側に円筒の内部空間を形成させるために円筒状の真空室40を設け、直線駆動軸16の真空室40内先端部に軸方向に磁化された円柱状の永久磁石18を取り付けるとともに、真空室40の外部にあって前記円柱状永久磁石18を囲む, 磁化方向が逆の円環状永久磁石19を、直線駆動軸16に軸方向の移動力を作用させるための駆動機構15に取り付けた装置構成とする。

請求項（抜粋）：

内部空間が反応室となる,一方の端面が開放された反応管と;中央部に開口が形成され周縁部がシール材を介して前記反応管の開放端面に押圧される円板状の反応室フランジと;反応室フランジの開口を介して反応室と連通する,大気と遮断された空間を形成するとともに、反応室フランジの開口を貫通して前記両空間に跨がり反応室の軸線方向に移動して反応室内先端部で被処理体を反応室内の所定位置へもたらす直線駆動軸と、該直線駆動軸の前記反応室と連通する,大気と遮断された空間側先端部に軸方向の移動力を作用させる駆動機構とを備えてなる直線移動機構と;反応管を円筒状に囲む加熱手段と;を備えた半導体製造装置において、前記反応室フランジの開口を介して反応室と連通する直線移動機構の空間を円筒の内部空間として形成するとともに直線駆動軸の該空間側先端部を該空間内に位置させ、直線駆動軸に作用させる軸方向の移動力が、直線駆動軸の前記直線移動機構空間内先端部に固定された,磁化方向が軸方向の円柱状永久磁石と、前記直線移動機構の空間を形成する円筒の外部にあって前記円柱状永久磁石を包囲する,磁化方向が前記円柱状永久磁石と逆方向の円環状永久磁石とを介して与えられるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。