特許

J-GLOBAL ID：200903024410820007

ショットキー接合を有する半導体装置の製造方法

発明者： 星野 浩一 ,  孝谷 卓哉
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  新技術事業団
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210077
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036393
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】ショットキー障壁の低下やそれに伴うショットキー接合の逆方向リーク電流の増加を抑制して、半導体装置の性能低下を防止すること。【構成】単層かまたは複数の半導体層からなる、導電性かまたは半絶縁性の半導体基板1上に、半導体層であるショットキー接触層2がエピタキシャル成長により形成される。その上に、TiやAl等の金属またはそれらの金属を層状に組み合わせた金属層であるショットキー電極3が形成され、その上にショットキー電極3を被うように窒化珪素や酸化珪素等からなる絶縁膜4がプラズマCVD法等により形成される。この絶縁膜4の形成を所定の温度以下において実施すると、ショットキー障壁の高さの低下や逆方向リーク電流の増加が見られないだけでなく、逆に、ショットキー特性の向上が見られた。

請求項（抜粋）：

半導体層と金属層との接合から成るショットキー接合を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体層の上に前記金属層を形成した後に、前記金属層を覆うように絶縁膜を形成するとき、前記絶縁膜を形成する温度をショットキー障壁の低下やそれに伴うショットキー接合の逆方向リーク電流の増加が発生しない温度以下に制御することを特徴とするショットキー接合を有する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 29/48 P ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-160274
  
• 特開平1-161720