薄膜トランジスタ基板及びその製造方法及び陽極酸化装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-122822
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタ基板及びその製造方法及び陽極酸化装置に関し、ゲートバスライン及びゲート電極が抵抗の低い金属材料で造られ、且つゲートバスライン及びゲート電極を覆う陽極酸化膜がゲート端子部に対する境界が制御性よく形成されるようにし、また陽極酸化の作業環境をよくすることができるようにすることを目的とする。【構成】ゲートバスライン12と、信号バスライン14と、薄膜トランジスタ16と、ゲート端子部18と、ゲート電極20とを備え、ゲートバスライン及びゲート電極はアルミニウム層52で形成され、ゲート端子部18はアルミニウム52、チタン54、及びITO56を重ねた構造をもち、ゲートバスライン及びゲート電極はアルミニウムの陽極酸化膜34で覆われ、該陽極酸化膜34はチタン層54をつけた状態で陽極酸化処理して得られたものである構成とする。

請求項（抜粋）：

絶縁板(11)の上に形成された複数のゲートバスライン(12)と、該複数のゲートバスラインと交差して配置された複数の信号バスライン(14)と、該ゲートバスライン及び該信号バスラインに接続された薄膜トランジスタ(16)と、該ゲートバスラインの端部に設けられるゲート端子部(18)と、該ゲートバスラインから一体的に延びかつ該薄膜トランジスタの一部となるゲート電極(20)とを備え、該ゲートバスライン(12)及び該ゲート電極(20)は第1の金属の層(52)で形成され、該ゲート端子部(18)は該第1の金属の層に少なくとも部分的に重られた第2の金属の層(54)と、該第2の金属の層に重られた第3の金属の層(56)からなり、該ゲートバスライン(12)及び該ゲート電極(20)は該第1の金属の陽極酸化膜(34)で覆われてなることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 W

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