特許

J-GLOBAL ID：200903024413440469

磁化膜の製造方法

発明者： 間所 祐一 ,  梅村 馨 ,  川浪 義実
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324223
公開番号（公開出願番号）：特開平5-159960
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】パターン化した微細な磁化膜を簡便に製造する方法、及び該製法による磁化膜を応用したデバイスを提供する。【構成】試料基板近傍に磁化コイルを設置し、FIBIDによる磁性膜の堆積と、磁化を行なう。イオンビームの直径は1μ以下にできるため、イオンビームの偏向により、所望のパターンが直描によって得られる。【効果】微細な磁化膜の形成が簡便にでき、製造に要する時間,コストが低減できる。また、微細な磁化膜を応用した集積回路の高性能化に寄与する。

請求項（抜粋）：

集束イオンビーム誘起堆積法を用いたことを特徴とする磁化膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01F 41/14 ,  G11B 5/85 ,  G11B 5/852 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/66