リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097479
公開番号（公開出願番号）：特開2001-281874
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】一般的なホトレジスト組成物との相溶性のバランスに優れ、一つの塗布装置でホトレジスト組成物の塗布と反射防止膜の形成を順次行った場合でも、その廃液が廃液配管内で詰まることがなく、効率的に半導体素子を製造することができ、かつクリーンルーム内の省スペース化にも有利であるリソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体の提供。【解決手段】ビニルイミダゾールとそれ以外の水溶性膜形成性モノマーとの共重合体、およびフッ素系界面活性剤を含有してなる組成物と、該組成物を水に溶解してなる塗布液からなる反射防止膜をホトレジスト膜表面に形成して得たレジスト積層体。

請求項（抜粋）：

ビニルイミダゾールとそれ以外の水溶性膜形成性モノマーとの共重合体、およびフッ素系界面活性剤を含有してなるリソグラフィー用反射防止膜形成用組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/11 501 , C09D139/04 , G03F 7/004 505 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/11 501 , C09D139/04 , G03F 7/004 505 , H01L 21/30 574

Fターム (29件)：

2H025AA00 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA03 , 2H025DA34 , 2H025EA10 , 4J038BA091 , 4J038CE021 , 4J038CF021 , 4J038CG031 , 4J038CG141 , 4J038CG171 , 4J038CH201 , 4J038CK021 , 4J038CK031 , 4J038GA03 , 4J038GA07 , 4J038GA09 , 4J038JA44 , 4J038JA45 , 4J038JC14 , 4J038KA09 , 4J038NA19 , 4J038NA27 , 4J038PB09 , 5F046PA07

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