特許
J-GLOBAL ID：200903024417262158
半導体レーザモジュール
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-225010
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058975
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 高周波特性が改善された半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】 ペルチェ素子の一電極との間に絶縁部材を挟んで設けられた半導体レーザ18と、ペルチェ素子の一電極上に設けられた配線基板22と、を備え、配線基板22上の導電層を介して、半導体レーザ18の一端子がレーザ駆動回路(図示せず)に接続され、且つ半導体レーザ18の他の端子が外部端子に接続されて成る半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ18の他の端子とペルチェ素子の一電極との間に抵抗性インピーダンスを有するダンピング手段60、を備える。このように、半導体レーザ18の他の端子とペルチェ素子の一電極と間に貫通孔68を介して接続される抵抗性インピーダンスを加えるためのダンピング手段を設ければ、このモジュール自体が有する共鳴効果によって生じる周波数特性における減衰帯が追加された抵抗性インピーダンスによって減衰される。
請求項（抜粋）：
ペルチェ素子の一電極との間に絶縁部材を介して設けられた半導体レーザを備え、前記半導体レーザがレーザ駆動信号を受けるための第1の端子と第2の端子とを有する半導体レーザモジュールであって、前記第2の端子と前記ペルチェ素子の一電極との間に抵抗性インピーダンスを加えるためのダンピング手段、を備える半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F041AA21
, 5F041DA83
, 5F041FF14
, 5F073BA02
, 5F073EA14
, 5F073FA15
, 5F073FA18
, 5F073FA25
, 5F073FA27
, 5F073GA23
, 5F073GA38
