特許
J-GLOBAL ID：200903024435470990
非導電性物質のメッキ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 裕作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-027346
公開番号（公開出願番号）：特開平5-195235
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年08月03日
要約：
【要約】【目的】 処理工程を簡略化し、しかも、従来のレジスト除去処理をなくするようにし、処理効率の向上を図る。【構成】 非導電性物質としての樹脂の表面を粗面化する表面粗面化工程(?@)と、表面が粗面化された非導電性物質に金属コロイド処理をして金属核を付与する金属核付与工程(?A)と、金属核が付与された非導電性物質にトリアジンチオール皮膜を形成する皮膜形成工程(?B)と、このトリアジンチオール皮膜が形成された表面の必要部にマスキングをして該表面に光を照射する光照射工程(?C)と、その後、無電解メッキ処理をするメッキ工程(?D)とを備え、トリアジンチオールの光重合膜を非導電性物質の表面に形成することにより、光照射面のメッキ析出の抑制を行ない、光未照射部分への選択メッキを可能にする。
請求項（抜粋）：
非導電性物質の表面の必要部に金属のメッキ層を形成する非導電性物質のメッキ方法において、非導電性物質の表面に金属核を付与し、この金属核を付与した表面にトリアジンチオールの皮膜を形成するトリアジンチオール処理を行ない、次に、該トリアジンチオールの皮膜を形成した非導電性物質の表面の必要部にマスキングをして該表面に光を照射し、その後、無電解メッキ処理を行なうことを特徴とする非導電性物質のメッキ方法。
IPC (2件)：
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