特許
J-GLOBAL ID：200903024436255499
表面処理方法及びその装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207438
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066159
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【構成】オゾン発生器に電源を投入した直後に生成する一定量のオゾンを棄却した後、生成する高純度のオゾンを用いて半導体装置の表面を処理する。【効果】オゾン発生器で窒素酸化物が生成されてもウェハがFe,Cr,Ni等の重金属で汚染されない。
請求項（抜粋）：
オゾン発生器で生成したオゾンを用いて半導体装置の表面を処理する方法に於いて、前記オゾン発生器に電源を投入した直後に生成する一定量のオゾンを棄却した後、生成するオゾンを用いて半導体装置の表面を処理することを特徴とする半導体装置の表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/30
, H01L 21/3065
