特許

J-GLOBAL ID：200903024436532840

電子ビーム照射方法と電子ビーム照射装置

発明者： 安芸 祐一 ,  山本 眞伸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-014876
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222749
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電子ビームの散乱を効果的に回避し、しかも大掛かりな真空チェンバを設けることを回避することができるようにし、安定した電子ビーム照射を行うことができるようにする。【解決手段】 電子ビームの被照射体の支持体4と、先端に電子ビーム出射孔5を有するヘッド部6には、電子ビームの被照射体に対し所要の微小間隙をもって浮上させると共に、電子ビーム出射孔5と上記電子ビームの被照射体3との間の、電子ビーム通路部に限定的に真空空間を形成するための非接触真空シール部を構成する差動静圧浮上手段22が設けられる。そして、筒状壁部の軸方向に伸縮する伸縮機構によって構成し、電子ビーム出射孔5の近傍と被照射体3との間隔を、正確に狭小間隔に設定できるようにして、この部分における真空度をより高めることができるようにして、電子ビーム通路の安定化を図る。

請求項（抜粋）：

電子ビームの被照射体に対し、電子ビーム照射を行う電子ビーム照射方法にあって、上記被照射体に対する電子ビーム照射に先立って上記電子ビームの出射孔と上記被照射体との間隔を、上記電子ビームの出射孔と上記被照射体とが接触するおそれがない程度で接近させる工程と、その後、上記電子ビームの出射孔と上記被照射体との間隙を測定しながら、その測定情報に基いて差動静圧浮上によって、上記電子ビームの出射孔と上記被照射体とを接近させて電子ビーム照射において設定すべき最終的小間隔とする工程と、その後、上記被照射体に対し、上記電子ビーム照射を行うことを特徴とする電子ビーム照射方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 9/02 ,  G11B 7/26 501 ,  H01J 37/305 ,  G01N 23/225

FI (7件)：

G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 9/02 Z ,  G11B 7/26 501 ,  H01J 37/305 B ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/30 541 L

Fターム (32件)：

2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001BA14 ,  2G001CA03 ,  2G001FA12 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001JA12 ,  2G001JA14 ,  2G001PA11 ,  2G001PA12 ,  2G001PA14 ,  2G001PA30 ,  2H097AA03 ,  2H097BA01 ,  2H097BA10 ,  2H097CA16 ,  2H097KA38 ,  2H097LA20 ,  5C034BB06 ,  5C034BB10 ,  5D121AA02 ,  5D121BB21 ,  5D121BB32 ,  5D121BB38 ,  5F056CB25 ,  5F056CB40 ,  5F056EA12 ,  5F056EA14 ,  5F056EA16