特許

J-GLOBAL ID：200903024438456726

ホトマスク、ホトマスクの製造方法及びパターン形成方法

発明者： 長谷川 昇雄 ,  堀田 尚二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317227
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147741
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 粗密の異なるパタンの解像度向上およびプロセス裕度の向上を実現する。【解決手段】 疎パタン部は微細シフタ、密パタン部はハーフトーン或いはCrから成るマスクと変形照明を用いる。【効果】 DRAM、Logicの混載デバイスやCMOS-Logicのゲートパタンや配線パタン形成の微細化が達成でき、素子の大規模化、高性能化が実現できる。

請求項（抜粋）：

投影光学系を用いてホトマスクのパタンをウエーハ上に転写するパタン形成方法であって、前記ホトマスク内には第1の透明部および第2の透明部および遮光部が少なくとも設けられており、前記第2の透明部は前記第1の透明部を通過する露光光に対して露光光の位相が反転するように施されており、かつウエーハ上では遮光パタンとして作用することを特徴とするパタン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/23 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/23 H ,  H01L 21/30 515 D ,  H01L 21/30 515 F

Fターム (9件)：

2H095BB03 ,  2H095BC08 ,  2H095BC28 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17