特許

J-GLOBAL ID：200903024439495660

薄膜トランジスタの製造方法およびその薄膜トランジスタを用いた半導体装置

発明者： 古田 守 ,  川村 哲也 ,  ▲よし▼岡 達男 ,  佐野 浩 ,  宮田 豊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205836
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053507
出願日： 1992年08月03日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタ中にイオンドーピング法により特定量の不純物を導入し閾電圧を任意に制御可能とする。【構成】 非単結晶薄膜に、イオンの生成から導入までの経路に質量分離工程を有さないイオン導入法を用いて薄膜トランジスタの閾電圧制御を行うための不純物を導入する。なお、上記不純物の導入条件として加速電圧80KV以下あるいは不純物量1015ion/cm2 以下の条件を用いることにより制御性良く薄膜トランジスタの閾電圧を制御する。

請求項（抜粋）：

硅素を構成元素として含む非単結晶薄膜を形成する工程を少なくとも有し、前記非単結晶薄膜に対して非単結晶薄膜を構成する元素以外の不純物を導入し閾電圧を制御する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法において、前記非単結晶薄膜に導入すべき不純物の生成から試料への導入までの経路に生成イオンの質量分離工程を含まない不純物導入装置を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 21/265 D