特許
J-GLOBAL ID：200903024440629913
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077031
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273149
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置において、ソルダペーストとメタルマスクとの抜け性を向上させてハンダ端子の大きさを均一にする。【解決手段】 半導体装置11の集合体12の第2の樹脂層18の上に、ランド部23を避けて、スポット状にレジストダム19を形成する。そして、印刷機に集合体12を載置し、印刷機のメタルマスク51の下面とレジストダム19の上面と当接させるようにする。すると、メタルマスク51と集合体12との接触部分は、レジストダム19のある部分のみとなり、集合体12とメタルマスク51との間に空間52が生じる、この状態で、印刷機のスキージ53をメタルマスク51の上面に当接させながら移動させると、ソルダペースト54がメタルマスク51の開口部51aに押し込まれるが、集合体12とメタルマスク51とはソルダペースト54によって貼り付かない。そして、メタルマスク51は、安定した抜け性で集合体12から取り除かれる。
請求項（抜粋）：
ソルダペーストを半導体装置本体のハンダ端子形成部にメタルマスクにてスキージ印刷し、前記ハンダ端子形成部に印刷された前記ソルダペーストを溶融することによって半導体装置本体にハンダ端子を形成するようにした半導体装置の製造方法において、前記半導体装置本体の集合体における最上層の、前記ハンダ端子形成部を避けた領域に、同領域よりも前記半導体装置本体の面方向に小さな面積を有するレジストダムを形成するレジストダム形成工程と、前記集合体と前記メタルマスクとを、前記レジストダムの上面と前記メタルマスクの下面とが当接するように、かつ、前記半導体装置本体の前記ハンダ端子形成部と前記メタルマスクに形成した開口部とが相対向するように重ね合わせ、前記開口部を介してソルダペーストを印刷する印刷工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 E
, H01L 21/92 604 S
