特許
J-GLOBAL ID：200903024449624671
固体撮像装置のフォトセンサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-055137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244398
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、フォトセンサの転送電極側の電界を緩和して固体撮像装置の点欠陥を低減し、品質の向上を図るとともに、製造工程数を削減して生産性を高める。【構成】 膜厚の異なる第1の絶縁膜21と第2の絶縁膜26とを設け、これらを通して不純物を半導体基板11に導入することにより、半導体基板11の上層に第1導電型の高濃度拡散層12を形成し、この側周部に接合させた状態に、これより不純物濃度が低い第1導電型の低濃度拡散層13を形成し、さらに半導体基板11中にかつ第1導電型の高濃度拡散層13の下部に接合させた状態に第2導電型の高濃度拡散層14を形成し、この側周部と第1導電型の低濃度拡散層13の下部とに接合させた状態に、第2導電型の高濃度拡散層14より不純物濃度が低い第2導電型の低濃度拡散層15を形成したものである。
請求項（抜粋）：
第1導電型の拡散層と第2導電型の拡散層との接合を用いた固体撮像装置のフォトセンサであって、前記半導体基板の上層に形成した第1導電型の高濃度拡散層と、前記第1導電型の高濃度拡散層より不純物濃度が低いもので、当該第1導電型の高濃度拡散層の側周部に接合した状態で前記半導体基板の上層に形成した第1導電型の低濃度拡散層と、前記第1導電型の高濃度拡散層の下部に接合した状態で前記半導体基板中に形成した第2導電型の高濃度拡散層と、前記第2導電型の高濃度拡散層より不純物濃度が低いもので、当該第2導電型の高濃度拡散層の側周部に接合した状態でかつ前記第1導電型の低濃度拡散層の下部に接合した状態で前記半導体基板中に形成した第2導電型の低濃度拡散層とよりなる固体撮像装置のフォトセンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
