マイクロ波プラズマCVD法による光受容部材形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293386
公開番号（公開出願番号）：特開平5-134439
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：

【要約】【目的】表面に曇りがなく、帯電能むら、ハーフトーンむら等の電子写真特性に優れ、かつ電位シフト、ゴースト等の特性が非常に優れた電子写真感光体を歩留まりよく、安定して製造する方法を提供する。【構成】導電性基体を切削した後、基体表面に付着した切削油、切り粉等を除去するための前処理として、水による洗浄を行い、次に純水に接触させる。この前処理を行った基体上にプラズマCVD法により炭素含有量が基体側に多く分布した非単結晶SiCからなり、かつ同時にハロゲン原子と酸素原子を含有する光導電層、さらにシリコン原子、水素原子、炭素原子からなる表面層を設けることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。

請求項（抜粋）：

マイクロ波導入手段、バイアス電圧印加手段、原料ガス導入手段及び排気手段を設けた実質的に密封し得る反応容器内に、放電空間を取り囲むように導電性基体を配置し、該放電空間にマイクロ波を導入し、原料ガスに由来する成膜に寄与する反応物質を含むマイクロ波放電プラズマを形成し、放電空間中に設けた電極に外部電気バイアス電圧を印加して、前記導電性基体表面にシリコンを母体とする非単結晶材料で構成された光導電層第1領域、光導電層第2領域及び表面層よりなる光受容層を形成する光受容部材形成方法であって、前記光導電層第1領域中に全層にわたって炭素原子を含有し、該炭素原子の含有量が光導電層第1領域の導電性基体側の表面で高く、光導電層第2領域側の表面で低くなるように分布し、さらに光導電層第1領域に水素原子、弗素原子を含有し、かつ、前記表面層中に炭素原子、及び周期表第3B族元素、水素原子及びハロゲン原子を同時に含有し、さらに酸素原子及び/または窒素原子を含有する光受容部材を形成する方法において、前記マイクロ波グロー放電プラズマを生起せしめる際に、前記導電性基体に印加する外部電気バイアス電圧を、前記光導電層第1領域形成時に印加する電圧に対して実質的に低い電圧で印加し、かつ放電を生起せしめた後に該外部電気バイアス電圧を光導電層第1領域形成時に印加する電圧に調整する工程を有する光受容部材形成方法。

IPC (10件)：

G03G 5/08 360 , C23C 16/50 , G03G 5/08 105 , G03G 5/08 302 , G03G 5/08 303 , G03G 5/08 304 , G03G 5/08 305 , G03G 5/08 306 , G03G 5/08 312 , G03G 5/08 313

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