特許
J-GLOBAL ID：200903024451052448
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004005
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036974
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 配線層中の不純物が半導体基板内の不純物拡散層まで拡散するのを抑制し、素子分離特性や半導体装置の性能の劣化を防止する。【構成】 シリコン基板1内のn型不純物拡散層7とドープト多結晶シリコン膜からなるゲート電極5とを第2の配線層15によって接続する。第2の配線層15はチタンナイトライド膜11を含む。ゲート電極5中の不純物が拡散するのをチタンナイトライド膜11が妨げる。
請求項（抜粋）：
主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面内に形成され、第2導電型の第1の不純物を含有する不純物拡散領域と、前記半導体基板の主表面の上に形成され、前記第1の不純物よりも拡散係数が大きい第2導電型の第2の不純物を含有する第1の配線層と、前記半導体基板と前記第1の配線層の上に形成され、前記不純物拡散領域の表面と前記第1の配線層の表面を露出させる孔を有する絶縁層と、前記孔を通じて前記不純物拡散領域と前記第1の配線層を相互に電気的に接続する第2の配線層とを備え、前記第2の配線層は、前記孔によって露出させられた前記第1の配線層の表面を少なくとも被覆するように形成された不純物拡散防止層を含む、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/46
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
, H01L 29/784
H01L 21/88 Q
, H01L 29/78 301 N
