特許
J-GLOBAL ID：200903024457392518
半導体イメージセンサの製造方法及びイメージセンサアセンブリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064258
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061464
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体イメージセンサにおいて、ストリークを低減する。【構成】 イメージセンサ10は、シリコン基板(半導体基板)11により構成され、シリコン基板11上には、第1の誘電層12と、ポリシリコンのゲート電極13、14、15と、第2の誘電層と、パッシベーション層17が、堆積されている。パッシベーション層17の上部表面17aは、第1の誘電層12、第2の誘電層の部分16a及び16bと、ゲート電極15の露出した外形に沿って平坦ではない。パッシベーション層17の上部表面17a上には、プレーナ層18と、プレーナ層18のプレーナ表面18aを覆う色フィルタアレー層19がある。プレーナ層18は、アクティブデバイス領域内にカラーセパレータをコーティング及び付着するための、平滑で均一な表面を提供し、ボンディングパッドへのアクセスを可能とする。
請求項（抜粋）：
色フィルタアレーを有するイメージセンサの製造方法において、対応する表面の凹凸と共に、イメージセンサを半導体基板上に形成するステップと、イメージセンサの表面上にプレーナ層を形成するステップと、プレーナ層上に色フィルタアレーを形成するステップと、を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/14
, G02B 5/20 101
, H04N 1/028
, G03F 3/08
