特許

J-GLOBAL ID：200903024457606119

半導体装置

発明者： 佐原 リチャード
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061013
公開番号（公開出願番号）：特開平8-262381
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 量子井戸構造を備えた半導体装置に関し、タイプI、タイプIIと異なる量子井戸構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 第1のバンド構造を有し、電子に対する量子井戸を形成する第1量子井戸層と、前記第1のバンド構造と異なる第2のバンド構造を有し、正孔に対する量子井戸を形成する第2量子井戸層と、前記第1量子井戸層と前記第2量子井戸層との間に配置され、前記第1および第2のバンド構造と異なる第3のバンド構造を有する中間層とを含み、前記第1量子井戸層は正孔に対する障壁を形成し、前記第2量子井戸層は電子に対する障壁を形成する量子井戸構造を有する。

請求項（抜粋）：

第1のバンド構造を有し、電子に対する量子井戸を形成する第1量子井戸層と、前記第1のバンド構造と異なる第2のバンド構造を有し、正孔に対する量子井戸を形成する第2量子井戸層と、前記第1量子井戸層と前記第2量子井戸層との間に配置され、前記第1および第2のバンド構造と異なる第3のバンド構造を有する中間層とを含み、前記第1量子井戸層は正孔に対する障壁を形成し、前記第2量子井戸層は電子に対する障壁を形成する量子井戸構造を有する半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/025 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

G02F 1/025 ,  H01L 27/15 B ,  H01S 3/18