特許

J-GLOBAL ID：200903024465930740

半導体装置の製造方法

発明者： 西中 佳郎 ,  竹内 利夫 ,  大前 誠蔵
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229898
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077316
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 スルーカットダイシング時にウエハシートからのシート屑の発生を抑制して高品質の半導体装置を製造する。【構成】 複数の半導体素子14が形成された半導体ウエハ11をウエハシート12に貼り合わせ、切断刃によって上記半導体ウエハ11を切断ライン13に従って切断して上記複数の半導体素子14を個々に分離する半導体装置の製造方法において、上記半導体ウエハ11の切断時に上記切断刃が上記ウエハシート12の第1ウエハシート121に接触しないように第1ウエハシート121に上記切断ライン13より幅広の溝123を設けた。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成された半導体ウエハをウエハシートに貼り合わせ切断刃によって上記半導体ウエハを所定のパターンに従って切断して上記複数の半導体素子を個々に分離する半導体装置の製造方法において、上記半導体ウエハの切断時に上記切断刃が上記ウエハシートに接触しないように上記半導体ウエハ又は上記ウエハシートに上記パターンより幅広の溝を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。