特許
J-GLOBAL ID：200903024467297920
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350399
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201826
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 TiN膜のエッチング速度の高速化を図るとともに、TiN膜を有する積層配線におけるスルーホールの形成を好適に行うドライエッチング方法を得る。【構成】 TiN膜103,105を有する積層金属配線をエッチングする際に、エッチングチャンバにSF6 とフルオロカーボン系ガスの混合ガスを導入し、かつTiN膜を有する半導体基板を載置した電極間にRF電力を供給してTiN膜のエッチングを行う。SF6 の流量が10〜30sccm、フルオロカーボン系ガスとしてCF4 の流量が20〜60sccm、圧力が20〜60Pa、RFパワー密度が2.2〜4.4W/cm2 であることが好ましい。TiN膜のエッチング速度が高速化され、かつスルーホールの内側壁に除去不可能な堆積物が生成されることが防止される。
請求項（抜粋）：
TiN膜をSF6 とフルオロカーボン系ガスの混合ガスを用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C04B 41/91
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, C23F 4/00
