特許
J-GLOBAL ID：200903024468008752
半導体素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343951
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176745
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 特性および信頼性の優れた薄膜状半導体素子を得る。【構成】 用いる多結晶シリコン薄膜の結晶方位面について、(311)面の比率を増大せしめることによって、多結晶シリコン膜とゲート絶縁膜の界面準位密度を低減させ、よって、特性および信頼性を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体層のX線回折パターン又は電子線パターンによる(311)の回折強度の割合が全回折強度の15%以上である多結晶シリコン半導体層でその主要部を構成したことを特徴とする半導体素子。
引用特許：
前のページに戻る
