特許
J-GLOBAL ID：200903024477376748
記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052098
公開番号（公開出願番号）：特開平5-307507
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】高電圧印加用設備が不要で工程の追加や工程上の制約がなく、かつ書込み禁止に対する信頼性を向上させる。【構成】メモリセルアレイ1に制御用のデータを記憶する制御データ領域12を設ける。設定データ記憶部51に記憶されている設定データDsと制御データ領域12から読出された制御用のデータDcとが一致しかつ書込み命令WIが入力されたときアクティブレベルとなる書込み信号WEを発生する書込み制御回路5を設ける。書込み禁止にするときは制御データ領域12のデータを設定データDs以外のデータに書換える。
請求項（抜粋）：
通常のデータを記憶する実行データ領域と制御用のデータを記憶する制御データ領域とを備え、書込み信号がアクティブレベルのとき供給されたデータを指定されたアドレスに書込むメモリセルアレイと、このメモリセルアレイにデータを供給する書込み回路と、前記メモリセルアレイから前記通常のデータ及び制御用のデータを読出す読出し回路と、予め設定されているデータと前記読出し回路により読出された制御用のデータとが一致し、かつ書込み命令が入力されるとアクティブレベルの前記書込み信号を出力する書込み制御回路と、前記メモリセルアレイのアドレスを指定するアドレス指定回路とを有することを特徴とする記憶装置。
IPC (2件)：
G06F 12/14 310
, G11C 16/06
