特許

J-GLOBAL ID：200903024479112632

多層配線基板の製造方法

発明者： 早川 俊高 ,  高田 俊克
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 矢野 正行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186454
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017903
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】上下配線間の接続の信頼性に優れた多層配線基板を提供する。【構成】下層配線の上にコンタクトホールを有する有機質の絶縁膜を形成後、該コンタクトホールを有する絶縁膜を形成後、次の工程を順に経て、コンタクトホールを通じて該上層配線と該下層配線とが接続された多層配線基板を製造する。(a)該コンタクトホールに露出した該下層配線を非反応性ドライエッチングにより清浄化する工程。(b)該絶縁膜の表面に所定パターンの該上層配線を形成する工程。(c)露出している該絶縁膜の表面の変質層を反応性ドライエッチングにより除去する工程。

請求項（抜粋）：

下層配線の上にコンタクトホールを有する有機質の絶縁膜を形成し、さらにその上に上層配線を形成することにより、該コンタクトホールを通じて該上層配線と該下層配線とが接続された多層配線基板を製造する方法において、該コンタクトホールを有する絶縁膜を形成後、下記の工程を順に経ることを特徴とする多層配線基板の製造方法。(a)該コンタクトホールに露出した該下層配線を非反応性ドライエッチングにより清浄化する工程。(b)該絶縁膜の表面に所定パターンの該上層配線を形成する工程。(c)露出している該絶縁膜の表面の変質層を反応性ドライエッチングにより除去する工程。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

H01L 23/12 N ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多層配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-089180   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜多層配線板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-126292   出願人：イビデン株式会社