特許
J-GLOBAL ID：200903024485421361

導波管・マイクロストリップ線路変換器

発明者：
八十岡 興祐

八十岡 興祐 について

, 
稲見 和喜

稲見 和喜 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 宮田 金雄 ,  高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297983
公開番号（公開出願番号）：特開2004-135095
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】誘電体基板の積層における層ずれが発生しても、導波管内部で発生する共振周波数が所望の周波数帯域より離れて発生し、導波管・マイクロストリップ線路変換器の特性が劣化しないようにすることを目的とする。【解決手段】第1の誘電体基板4と第2の誘電体基板5と第3の誘電体基板6とを積層して構成し、第3の誘電体基板6は、少なくとも最下面に設けられた第3のパターン抜き部15を有する導体パターン9と、第3のパターン抜き部15の周囲に設けられ第3の誘電体基板6の最上面から最下面まで貫通する第3のビア導体12とを備え、第3のビア導体12の、第3のパターン抜き部15側の壁をつないで形成される長方形の縦横比を1対2.5から1対3の間で構成した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単層または多層の第1の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板の一面に設けられた導体線路パターンと、前記導体線路パターンの一端が接続された導波管短絡用導体と、前記導体線路パターンと前記導波管短絡用導体を有する面に対向する前記第1の誘電体基板の最下面に形成された第1のパターン抜き部を有する第1の導体パターンと、前記第1の誘電体基板内を貫通し前記導波管短絡用導体と前記第1のパターン抜き部の外周部とを接続する第1のビア導体と、 単層または多層の第2の誘電体基板と、前記第2の誘電体基板の層間面及び最下面のうち少なくとも最下面に設けられた第2のパターン抜き部を有する第2の導体パターンと、前記第2のパターン抜き部の周囲に設けられ前記第2の誘電体基板の最上面から最下面まで貫通している第2のビア導体と、 単層または多層の第3の誘電体基板と、前記第3の誘電体基板の層間面及び最下面のうち少なくとも最下面に設けられた第3のパターン抜き部を有する第3の導体パターンと、前記第3のパターン抜き部の周囲に設けられ前記第3の誘電体基板の最上面から最下面まで貫通している第3のビア導体とを備え、 前記第1の誘電体基板に設けられた前記第1の導体パターンと前記第2の誘電体基板の最上面とが接し、前記第2の誘電体基板に設けられた前記第2の導体パターンと前記第3の誘電体基板の最上面とが接するように、前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板と前記第3の誘電体基板とが積層され、 前記導体線路パターンと前記第1の導体パターンと前記第1の誘電体基板によりマイクロストリップ線路が構成され、 前記導波管短絡用導体と前記第1のビア導体と前記第1の導体パターンにより導波管短絡部が構成され、 前記第1の導体パターンと前記第2のビア導体と前記第2の導体パターンにより第1の誘電体導波管が構成され、 前記第2の導体パターンと前記第3のビア導体と前記第3の導体パターンにより第2の誘電体導波管が構成され、 前記第3のビア導体における、前記第3のパターン抜き部側の壁をつないで形成される長方形の縦横比が1対2.5から1対3の間で構成されることを特徴とする導波管・マイクロストリップ線路変換器。
IPC (3件)：
H01P5/107 ,  H01P3/12 ,  H01P3/123
FI (3件)：
H01P5/107 Z ,  H01P3/12 ,  H01P3/123
Fターム (1件)：
5J014DA06
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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