特許

J-GLOBAL ID：200903024490036727

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 傳田 敦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 柳瀬 睦肇 ,  宇都宮 正明 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-026761
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241458
出願日： 2003年02月04日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】パッド表面に対してフッ化物の発生、成長を抑えた高信頼性の半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】パッド部となる金属配線上に絶縁性シリコン化合物でなる保護膜を形成する(処理S1)。次に、保護膜上に対し少なくとも上記金属配線に応じたパッド開口部を形成するため、フッ素系のガスによるドライエッチング工程を含む加工工程を経る(処理S2)。このとき、開口したパッド部表面にはフッ素成分が残留してしまう。次に、このドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、不活性ガスプラズマに晒す。すなわち、上記パッド開口部の金属配線表面を物理的にエッチングする(処理S3)。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体集積回路における絶縁膜上に設けられるアルミニウムを主成分とした金属配線のパッド部の製造に関するものであって、 前記金属配線上に絶縁性シリコン化合物でなる保護膜を形成する工程と、 前記保護膜上に対し少なくとも前記金属配線に応じたパッド開口部を形成するフッ素系のガスによるドライエッチング工程と、 少なくとも前記ドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内での不活性ガスプラズマによる前記金属配線表面の物理的エッチング工程と、 を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/60 301P ,  H01L21/88 T

Fターム (16件)：

5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033MM26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ95 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV07 ,  5F033XX12 ,  5F044EE21