特許
J-GLOBAL ID：200903024495233121
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081839
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283355
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 結晶欠陥を抑制すること。【構成】 不純物を高エネルギーでSi基板1表面に記入した後、Si基板表面にSi+ を注入してSi基板表面からその内部に至る連続したアモルファス層2を形成し、次に、熱処理を付した。【効果】 アモルファス層の下面からのみ結晶化していくことから、従来接合界面で整合性が悪いことに起因する結晶欠陥の発生を抑制できる。
請求項（抜粋）：
Si基板上に、不純物濃度が表面よりも内部に行く程高くなる逆分布型ウェルを形成するに際して、不純物を高エネルギーでSi基板表面に注入した後、Si基板表面にSi+ を注入してSi基板表面からその内部に至る連続したアモルファス層を形成し、次に、熱処理を付してアモルファス層の下面における上記アモルファス層及びSi基板との界面からのみ結晶化することからなる半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01L 27/092
H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 A
, H01L 21/265 W
, H01L 27/08 321 B
