特許

J-GLOBAL ID：200903024496277041

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松橋 秀明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053999
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263573
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 誘電体膜として酸化タンタル膜、上部電極としてポリシリコン膜を用いる半導体装置において、酸化タンタルとポリシリコンとの反応を防いでリーク電流の発生を抑さえ、かつ単位面積当りの容量を充分に確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板21上に酸化シリコン膜22、選択的に下部電極としてのポリシリコン膜23aが形成され、ポリシリコン膜23aを覆うように酸化シリコン膜25、酸化タンタル膜24、反応防止膜としての酸化チタン膜26、上部電極としてのポリシリコン膜27が順次形成された構造となっている。

請求項（抜粋）：

基体と、前記基体上に形成された酸化タンタルと、前記酸化タンタル上に形成された酸化チタンと、前記酸化チタン上に形成されたポリシリコンと、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 Y