特許
J-GLOBAL ID：200903024496784202
半導体素子収納用パッケージ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197268
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016164
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板表面のリング状メタライズ層に金属製蓋体を強固に接合し大型のパッケージにおいても高い気密信頼性を有する半導体素子収納用パッケージを提供する。【解決手段】表面に半導体素子2が実装される窒化珪素質セラミック焼結体からなる絶縁基板1表面の半導体素子2実装部の周囲にリング状メタライズ層4を形成し、このリング状メタライズ層4に対して金属製蓋体3をロウ材11によって接合して半導体素子2を気密に封止する半導体素子収納用パッケージにおいて、リング状メタライズ層4の厚みを3〜30μmとし、その内縁および/または外縁から20μm以上の幅領域4aを絶縁基板1内に埋め込むとともに、リング状メタライズ層4の露出部の幅を1〜5mm、その露出部表面に形成するメッキ層の厚みを1〜10μmとする。
請求項（抜粋）：
表面に半導体素子が実装される窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板と、該絶縁基板表面の前記半導体素子実装部の周囲に被着形成されたリング状メタライズ層と、前記絶縁基板表面に実装される半導体素子を気密に封止するために前記リング状メタライズ層に対してロウ材によって接合される金属製蓋体とを具備する半導体素子収納用パッケージにおいて、前記リング状メタライズ層の厚みを3〜30μmとし、その内縁及び/または外縁から20μm以上の幅領域を前記絶縁基板内に埋め込むとともに、前記リング状メタライズ層の露出部の幅を1〜5mmとし、且つその露出部表面に厚み1〜10μmのメッキ層を形成してなることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/02 C
, H01L 23/10 B
