特許

J-GLOBAL ID：200903024499582490

パワー半導体基板及びその製造方法

発明者： 市田 晃 ,  有川 正 ,  加柴 良裕 ,  野口 二三夫 ,  ▲高▼井 伝栄
出願人/特許権者： 東京タングステン株式会社 ,  三菱電機株式会社 ,  平井精密工業株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-048846
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148491
出願日： 1996年03月06日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 熱を発生する例えば、電力半導体を搭載した際にも、クラックを発生せず、さらに、多層構造を備えていながら接合界面が少ないので、剥離の心配がない高い信頼性を有し、且つ、長い寿命を有するパワー半導体基板を提供することである。【解決手段】 パワー半導体基板は、パワー半導体に用いられ、絶縁板2と、前記絶縁板2の表裏面に接合された第1及び第2の複合板材1、3とを備えている。第1及び第2の複合板材1、3は、銅とモリブデンの粉末混合・焼結・圧延工程を施すことで作製されるか、モリブデン板を2枚の銅板によって挟むことによって構成される。この第1の複合板材1は、パワーモジュール実装のために、エッチングによりパターン化され、半導体チップ搭載用の回路を構成している。

請求項（抜粋）：

パワー半導体を実装するのに用いられるパワー半導体基板において、絶縁板と、前記絶縁板の表裏面に接合され、当該絶縁板に比較して放熱性の高い第1及び第2の高放熱複合板材とを備え、前記第1及び第2の高放熱複合板材は、銅とモリブデンの粉末を混合・焼結及び圧延することによって、形成されており、前記第1及び第2の高放熱複合板材の内の少なくとも一方は、パターン加工されていることを特徴とするパワー半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/373

FI (3件)：

H01L 23/14 M ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 M