多層配線半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303158
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148444
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】ゲートアレイ方式の半導体集積回路装置において、製造が容易で、品質上の信頼性の高い、かつ多層の信号間の干渉(クロストーク)が少なく、顕微鏡やEBテスターでの観察、測定が容易な多層配線の半導体集積回路を提供する。【解決手段】少なくとも4層の多層配線構造とし、第1の配線層と第2の配線層の配線方向は互いに直交し、第3の配線層と第4の配線層の配線方向は第1の配線層の配線方向に対し、それぞれ45度、135度の角度に配置する。【効果】各層の配線間の重なりが少なくなり、段差が緩和、減少し、製造プロセスが容易になり、品質上の信頼性が高まる。また、斜めの配線が使用できるので回路の端子間をより短い距離で接続でき、信号遅延の少ない、かつ配線の自由度のより高い多層配線の半導体集積回路が得られる。さらにエンベデッドアレイのような部分的にゲートアレイ方式を用いる場合も適用できる。

請求項（抜粋）：

a) 複数の単位基本素子集合が配列され、配線層により該単位基本素子間が接続されてなるゲートアレイ方式の半導体集積回路装置において、b) 第1の配線層と、第2の配線層と、第3の配線層と、第4の配線層の少なくとも計4層の配線層を有し、C) 第1の配線層と第2の配線層の配線方向は互いに直交し、d) 第3の配線層と第4の配線層の配線方向は互いに直交し、e) 第1の配線層の配線方向は第3の配線層の配線方向と第4の配線層の配線方向に対してそれぞれ45度、もしくは135度の角度に配置されたことを特徴とする多層配線半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 27/118 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/82 W , H01L 21/82 M , H01L 21/90 W

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