特許
J-GLOBAL ID：200903024506973890
エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334040
公開番号（公開出願番号）：特開2001-151596
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：
【要約】【課題】 SF発生を低減したエピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 エピタキシャル層を成長する表面にボイド欠陥が露出しないエピタキシャル成長用シリコンウエーハ。及びシリコンウエーハ表面に露出したボイド欠陥個数、および/またはシリコンウエーハ表面から少なくとも10nmまでの深さのボイド欠陥個数を測定し、これらのボイド欠陥個数が所定値以下のウエーハを選択し、該選択されたウエーハの表面にエピタキシャル層の成長を行うエピタキシャルウエーハの製造方法。並びに表面に露出したボイド欠陥および/または表面から少なくとも10nmまでの深さにボイド欠陥を有するシリコンウエーハに熱処理を行い、前記ボイド欠陥を消滅および/またはSFの発生源とならない形態とした後に、前記ウエーハ表面にエピタキシャル層の成長を行うエピタキシャルウエーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長用シリコンウエーハであって、少なくともエピタキシャル層を成長する表面にボイド型欠陥が露出しないことを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウエーハ。
IPC (4件)：
C30B 29/06
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/324
C30B 29/06 B
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/324 X
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077FE03
, 4G077FE05
, 4G077FE12
, 4G077FJ06
, 5F045AB02
, 5F045AF03
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045GB11
, 5F045HA06
, 5F045HA16
, 5F052KA05
