特許
J-GLOBAL ID：200903024507389491

フォトレジスト層のパターン化法

発明者：
野口 一人

野口 一人 について

, 
宮澤 弘

宮澤 弘 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271158
公開番号（公開出願番号）：特開平10-115937
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 フォトレジスト層に対しフォトマスクを用いた露光処理を施す工程と、その露光処理を施す工程をとって後または前に、フォトレジスト層の表面に沿った領域に改質液を用いた改質処理を施す工程と、露光処理を施す工程及び改質処理を施す工程をとって後、フォトレジスト層に対し現像処理を施す工程とをとって、フォトレジスト層から、そのパターン化されたフォトレジスト層を、オーバーハングしている断面パターンで得るにつき、その断面パターンを、所期の断面パターンで再現性よく得る。【解決手段】 改質処理を施す工程後、現像処理を施す工程前において、フォトレジスト層の表面に沿う領域から、改質液の残留を、改質液除去液を用いて除去する工程を有する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたフォトレジスト層に対し、フォトマスクを用いた露光処理を施す工程と、上記露光処理を施す工程後、上記フォトレジスト層の表面に沿った領域に、改質液を用いた改質処理を施す工程と、上記改質処理を施す工程後、上記フォトレジスト層に対し、現像処理を施す工程とを有するフォトレジスト層のパターン化法において、上記改質処理を施す工程後、上記現像処理を施す工程前において、上記フォトレジスト層の表面に沿った領域から、上記改質液の残留を、改質液除去液を用いて除去する工程を有することを特徴とするフォトレジスト層のパターン化法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 576
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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