特許
J-GLOBAL ID：200903024507428560
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
机 昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-021077
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309170
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】MSQ等の有機物系低誘電率膜とバリアメタル等の無機材料との密着性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法、特にダマシン構造およびダマシンプロセスにおける表面処理方法を提供する。【解決手段】MSQ1等の有機系の低誘電率膜を含む絶縁層にビアホール3を形成した後、バリアメタルを介して配線材料5を埋め込む工程を含む半導体装置およびその製造方法において、ビアホール3形成後バリアメタル4成膜前に、露出した有機系の低誘電率膜(MSQ1)の有機成分からなる基(メチル基)を水素に置換可能なHe/H2ガス又は有機成分からなる基(メチル基)を分解可能なHeガスを用いたプラズマ処理を行うことにより、バリアメタル4と接するMSQ表面の有機成分濃度を低下させ、親水性に改質してバリアメタルとの密着性を向上させ、バリアメタルの剥がれやスクラッチの発生を防止する。
請求項（抜粋）：
有機成分からなる基とSiとの結合をもつ低誘電率膜を含む絶縁層に形成されるビアホール、又は配線溝にバリアメタルを介して配線材料が埋め込まれている構造を有する半導体装置において、前記低誘電率膜の前記バリアメタルと接する領域に、前記低誘電率層間膜内部より有機成分濃度が相対的に低い濃度の領域を有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (35件)：
5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033KK11
, 5F033KK12
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP26
, 5F033QQ02
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ14
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ92
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR21
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033TT01
, 5F033WW04
, 5F033WW07
, 5F033XX14
