特許

J-GLOBAL ID：200903024515269780

微細パタン形成法

発明者： 石井 哲好 ,  末光 哲也
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341191
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140356
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板等の被加工基板に対する微細パタン形成において、高精度で高信頼性の加工を実現する微細パタン形成法を提供する。【解決手段】 本発明の微細パタン形成法は、被加工基板2上の第2のレジスト膜3表面に形成されたパタン上に、マスク材20を付着させた後、第1のレジスト膜2及び第2のレジスト膜3を除去することにより、被加工基板1上にマスク材20からなるドット上パタン配列25を形成する微細パタン形成法において、使用されるマスク材20が炭素原子の集合体を構成要素とする微粒子を有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上のレジスト膜に形成されたパタン上にマスク材を付着させた後、前記レジスト膜を除去することにより、前記基板上に前記マスク材からなるパタンを形成する微細パタン形成法において、前記マスク材が炭素原子の集合体を有する微粒子であることを特徴とする微細パタン形成法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 513 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 7/26 501 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/26 513 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 7/26 501 ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 564

Fターム (14件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096HA28 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096LA02 ,  5D121BA05 ,  5D121BB04 ,  5D121BB25 ,  5F046JA04 ,  5F046JA13 ,  5F046LA18 ,  5F046NA01