特許
J-GLOBAL ID：200903024518734778
メッキによる回路形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-113879
公開番号（公開出願番号）：特開平10-306397
出願日： 1997年05月01日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】この発明は、半導体基板上に特に微細間隔の回路要素を形成するメッキによる回路形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板11の表面に形成された共通電極による第1の電極12の表面上に、レジストによるマスク13を形成する。そして、この半導体基板11を電解液中に設定し、マスク13に対向する第2の電極14との間に、第2の電極14がアノードとされるようにして直流電源15を接続する。そして、マスク13の表面上にブリッジ層161 が形成されるまでメッキ層16を成長させ、この状態を第1電極12と第2の電極14との間の抵抗値の変化で検出されたならば、直流電源の極性を反転させ、ブリッジ層161 を溶出させ、マスク13の開口内に残るメッキ層16による回路要素部分が半導体基板12上に残存されるようにする。
請求項（抜粋）：
基板上の第1の電極の面上に回路パターンの形成されたマスクを形成するマスク形成工程と、このマスクの形成された前記基板を電解液中に設定し、前記マスクに対向する第2の電極と前記第1の電極との間に所定の極性の電圧を印加して前記マスクパターンに対応したメッキ層を成長させる第1のメッキ層形成工程と、前記電圧の印加工程を継続し、前記マスク表面に前記マスクパターンに対応した回路要素を短絡するブリッジ層が形成されるまでメッキ層を成長させる第2のメッキ層形成工程と、前記第1および第2の電極の間に印加する電圧の極性を反転し、前記成長されたメッキ層を前記電解液中に溶出させるメッキ層溶出工程とを具備し、このメッキ層溶出工程で前記マスクパターン上に形成された前記回路要素を短絡するブリッジ層部分が溶出されるようにしたことを特徴とするメッキによる回路形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C25D 7/00 J
, H05K 3/18 G
