特許

J-GLOBAL ID：200903024523235348

ヘテロ超格子pn接合

発明者： レロイ・リ=ゴン・チャン ,  スプラティク・グハ ,  ムネカタ・ヒロオ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272606
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275744
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 n型超格子とp型超格子が組み合わされて、青色以上の光を放出するのに十分なバンドギャップの単一pn接合となった、ヘテロ超格子pn接合を有する発光半導体デバイスを提供する。【構成】 ウェル材料は、キャリア濃度になるまでドーピングし、バリア材料はウェル材料の厚さとあいまって、超格子の有効バンドギャップが調節されるように選ぶ。第1の超格子250はn型のドーピングしたZnSeウェル層10,30,40とドーピングしないZnMnSeバリア層20から形成し、第2の超格子200はp型のドーピングしたZnTeウェル層60,70,90とドーピングしないZnMnSeバリア層80から形成する。第1と第2の超格子を組み合わせて、ヘテロ超格子pn接合を形成する。個々のウェル層及びバリア層の厚さと組成は、pn接合の有効バンドギャップが調節されるように変えることができる。

請求項（抜粋）：

複数の第1ウェル層が複数の第1バリア層に挟まれている第1超格子と、複数の第2ウェル層が複数の第2バリア層の間に挟まれている第2超格子とを備え、上記第1超格子と上記第2超格子とがpn接合を形成している半導体デバイス。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-152284