特許
J-GLOBAL ID:200903024525465359
高導電性配線基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-389117
公開番号(公開出願番号):特開2003-188534
出願日: 2001年12月21日
公開日(公表日): 2003年07月04日
要約:
【要約】【課題】 限られた面積内に高密度配線を形成する場合でも、極めて高い接続信頼性を得ることができる配線基板および配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】 底面に基材保持材が設けられた絶縁基材の上面に少なくとも2枚以上のカバーフィルムを配し、前記基材保持材を底とするブラインドビアホールを設ける工程と、前記絶縁基材の表面に載せた、導電性粒子およびバインダ成分を含有するペーストを、スキージを用いて前記ブラインドビアホールに充填する工程と、最外層の第1のカバーフィルムを剥離してペーストを突出させる工程と、第二のカバーフィルムの表面に吸収シートを配置して、前記ペーストの前記バインダ成分の一部を前記吸収シートに吸収させることにより、前記ペースト内の前記導電性粒子の含有率を増大させる工程とを有する。
請求項(抜粋):
底面に基材保持材が設けられた絶縁基材の上面に少なくとも2枚以上のカバーフィルムを配し、前記基材保持材を底とするブラインドビアホールを設ける工程と、導電性粒子およびバインダ成分を含有するペーストを前記ブラインドビアホールに充填する工程と、最外層の第1のカバーフィルムを剥離してペーストを突出させる工程と、前記第1のカバーフィルムを剥離することで最外層になった第2のカバーフィルムの表面に吸収シートを配置して、前記ペーストの前記バインダ成分の一部を前記吸収シートに吸収させることにより、前記ペースト内の前記導電性粒子の含有率を増大させる工程と、を有する高導電性配線基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/40
, H05K 1/11
, H05K 3/46
FI (4件):
H05K 3/40 K
, H05K 1/11 N
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 X
Fターム (18件):
5E317AA24
, 5E317BB01
, 5E317BB12
, 5E317BB14
, 5E317CC18
, 5E317CC25
, 5E346AA29
, 5E346AA43
, 5E346CC02
, 5E346CC04
, 5E346CC05
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346CC39
, 5E346DD32
, 5E346HH08
, 5E346HH25
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