特許
J-GLOBAL ID：200903024525529934
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-159866
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005841
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】素子の高速化に伴い浅い接合を形成する主領域の周りのガードリング部を主領域より深くして耐圧を保持する場合、別拡散工程を不要にする。【構成】ガードリング部を形成する領域に予め溝を形成することにより、主領域と同一工程でガードリング部に不純物を深く拡散させることができる。また溝の内面からの不純物の横方向拡散により、ガードリング部の幅を広げて高耐圧化を図ることも可能になる。
請求項（抜粋）：
第一導電型の層の表面層に形成された第二導電型の主領域を所定の間隔を保って囲んで第二導電型の環状ガードリング部を有する半導体素子の製造方法において、ガードリング部を形成する領域の表面から環状の溝を掘ったのち、同一工程で第二導電型の主領域およびガードリング部を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
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