特許

J-GLOBAL ID：200903024525621954

強誘電体メモリ装置

発明者： 大村 正由
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269166
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122661
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、非破壊読み出しでき、高寿命化され、集積化に好適する強誘電体メモリを提供することを目的とする。【構成】本発明は、膜厚d1 ,面積S1 の強誘電体1の両主面側を挟むように電極2,3が形成された、分極P1 を有する第1の強誘電体メモリセルと、膜厚d2 ,面積S2 の強誘電体4の両主面側を挟むように電極5,6が形成された、分極P2 を有する第2の強誘電体メモリセルとが並列に接続構成されて、抗電界が異なる2つの強誘電体キャパシタからなる合成ヒステリシス特性を持ち、多値データを利用でき、記憶するデータを非破壊読み出する強誘電体メモリ装置である。

請求項（抜粋）：

積層される強誘電体材料の少なくとも一部が同一材料からなる及び、同一強誘電体材料で膜厚,主面の面積がそれぞれ異なることのいずれかにより、抗電界の値が互いに異なる、複数の強誘電体キャパシタを並列に接続し1つのメモリセルを成し、複数の該メモリセルが配列され構成することを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22