特許
J-GLOBAL ID:200903024526351411

イオンビームを使用する基板への注入

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-079395
公開番号(公開出願番号):特開2006-279041
出願日: 2006年03月22日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】イオン注入において、基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受けることを可能にする、イオンビームを使用して基板に注入する方法を提供する。【解決手段】注入方法に関し、第1の方向に延びる一連の走査線に沿って基板に対してイオンビームを走査するステップと、該基板と該イオンビーム間の相対的な回転をもたらすステップと、異なる方向に一連の第2の走査線に沿って該イオンビームを走査するステップとを備えている。注入レシピは、異なる領域が各走査ステップ中に生成されるように、各方向の走査中に変化される。該2つの走査ステップ中にこのように形成された領域は、該基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受け取るように重複する。該異なるレシピは、異なるドーパント濃度、ドーピング深さ、または異なるドーパント種をも生じることがある。【選択図】図1
請求項(抜粋):
イオンビームを使用して基板に注入する方法であって、 前記イオンビームが、前記基板に対して第1の方向に延びる一連の走査線に沿って前記基板の全域を走査するように、前記基板と前記イオンビーム間に相対的な移動をもたらすことによって、前記基板に第1のパスで注入するステップと、 前記基板と前記イオンビーム間に相対的な回転をもたらすステップと、 前記イオンビームが次に、前記基板に対して第2の異なる方向に延びる一連の走査線に従うように、前記基板と前記イオンビーム間に相対的な移動をもたらすステップを反復して、前記基板に第2のパスで注入するステップと、 さらに、 第1の注入レシピに従って前記第1のパスの第1の部分を実行し、前記イオンビームまたは基板の第1の特性を変化させ、第2の注入レシピに従って前記第1のパスの第2の部分を実行することによって、前記基板の第1および第2の領域を形成するステップと、 第3の注入レシピに従って前記第2のパスの第1の部分を実行し、前記イオンビームまたは基板の第2の異なる特性を変化させ、第4の注入レシピに従って前記第2のパスの第2の部分を実行することによって、前記基板の第3および第4の領域を形成するステップと、 を備えており、 前記第3および第4の領域が両方とも前記第1および第2の領域に重複する、方法。
IPC (2件):
H01L 21/265 ,  H01J 37/317
FI (3件):
H01L21/265 603C ,  H01L21/265 T ,  H01J37/317 C
Fターム (3件):
5C034CD04 ,  5C034CD05 ,  5C034CD07

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