有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-220804
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054830
出願日： 2007年08月28日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】本発明の目的は、高移動度、熱安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することにある。【解決手段】支持体上にゲート電極、絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。一般式(1) A-(Y)n(式中、Aは、芳香族炭化水素環、または芳香族複素環、または芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が少なくとも3環以上縮合した縮合環を表し、Yは、-CO-,-CONH-,-SO2-,-SO2NH-、でそれぞれ表される連結基のうち少なくとも1つを部分構造として有する置換基を表す。nは、1〜8の整数を表す。但し、複数のYは、同じでも異なっていてもよい。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上にゲート電極、絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。一般式(1) A-(Y)n (式中、Aは、芳香族炭化水素環、または芳香族複素環、または芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が少なくとも3環以上縮合した縮合環を表し、 Yは、-CO-,-CONH-,-SO2-,-SO2NH-、でそれぞれ表される連結基のうち少なくとも1つを部分構造として有する置換基を表す。nは、1〜8の整数を表す。但し、複数のYは、同じでも異なっていてもよい。)

IPC (3件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/78 618B

Fターム (68件)：

4C071AA01 , 4C071AA07 , 4C071BB01 , 4C071CC22 , 4C071DD04 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG01 , 4C071HH11 , 4C071HH13 , 4C071HH28 , 4C071JJ01 , 4C071LL10 , 4C072MM08 , 4C072UU10 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB91 , 4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VQ24 , 4H049VU25 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第2006/077888号パンフレット

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