特許

J-GLOBAL ID：200903024537395496

柱状カーボン構造物の選択成長方法及び電子デバイス

発明者： 二瓶 瑞久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-074254
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273112
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 柱状カーボン構造物の選択成長方法及び電子デバイスに関し、必要とする箇所のみに選択的にカーボンナノチューブ等の柱状カーボン構造物を形成する。【解決手段】 耐拡散膜パターン4を設けた基板1全面に触媒金属5を堆積したのち、熱処理を行うことにより前記耐拡散膜パターン4以外の領域に存在する触媒金属5のみを深さ方向に拡散させ、次いで、前記耐拡散膜パターン4上に拡散せずに残った触媒金属5を起点に柱状カーボン構造物6を選択的に成長させる。

請求項（抜粋）：

耐拡散膜パターンを設けた基板全面に触媒金属を堆積したのち、熱処理を行うことにより前記耐拡散膜パターン以外の領域に存在する触媒金属のみを深さ方向に拡散させ、次いで、前記耐拡散膜パターン上に拡散せずに残った触媒金属を起点に柱状カーボン構造物を選択的に成長させることを特徴とする柱状カーボン構造物の選択成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C01B 31/02 101 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

C01B 31/02 101 F ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A

Fターム (32件)：

4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD21 ,  4M104DD29 ,  4M104DD43 ,  4M104DD46 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ00 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK35 ,  5F033NN19 ,  5F033PP02 ,  5F033PP07 ,  5F033PP08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ79 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR21 ,  5F033SS21