特許
J-GLOBAL ID：200903024541738071
炭化ケイ素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207794
公開番号（公開出願番号）：特開平6-056596
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：
【要約】【目的】 改良型(種結晶を使用する)昇華再結晶法を用いて、炭化ケイ素(SiC)バルク単結晶を作成する際に、結晶成長に伴う原料の枯渇によるケイ素蒸気圧低下を防止し、ケイ素(Si)蒸気圧を一定に保つことにより結晶性に優れた欠陥の少ないSiCバルク単結晶を製造する。【構成】 種結晶を用いた改良型昇華再結晶法により、炭化ケイ素単結晶を成長させる際に、原料の炭化ケイ素粉末に窒化ケイ素を添加することにより、成長とともに変化するSi蒸気圧を常に一定に保つ。
請求項（抜粋）：
種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化ケイ素単結晶を成長させる工程を包含する炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、原料となる炭化ケイ素に窒化ケイ素を添加する工程を含むことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
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