特許

J-GLOBAL ID：200903024546312021

半導体装置の製造方法及び化学的機械研磨装置

発明者： 菅井 和己 ,  土屋 泰章
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226900
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053038
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 CMP法により研磨して埋め込み配線を形成する場合、バリア金属膜の研磨時に銅膜の研磨の進行を抑制する。【解決手段】 シリコン基板1の表面を研磨液が供給される研磨定盤11に接触させて、シリコン基板11の裏面を弾性変形の大きい弾性体を備えた第1の加圧ユニット15により押圧した状態で銅膜5を研磨した後、シリコン基板1の表面を研磨液が供給される研磨定盤11に接触させて、シリコン基板1の裏面を弾性変形の小さい弾性体を備えた第2の加圧ユニット25により押圧した状態でバリア金属膜4を研磨する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を覆う絶縁膜に配線用凹部を形成した後、該配線用凹部を含む全面に第1の金属膜及び第2の金属膜を順次に形成し、前記配線用凹部の表面より上部に露出されている前記第2及び第1の金属膜を順次に化学的機械研磨法により研磨して埋め込み配線を形成する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の表面を研磨液が供給される研磨定盤に接触させて、前記半導体基板を弾性変形の大きい弾性体により押圧した状態で前記第2の金属膜を研磨する第1の研磨工程と、前記半導体基板の表面を研磨液が供給される研磨定盤に接触させて、前記半導体基板を弾性変形の小さい弾性体により押圧した状態で前記第1の金属膜を研磨する第2の研磨工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/304 622 K ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/04 E ,  H01L 21/306 M

Fターム (14件)：

3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AB04 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA22 ,  5F043AA26 ,  5F043AA27 ,  5F043DD06 ,  5F043DD16 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07 ,  5F043GG03