電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211176
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【構成】ガリウム砒素基板1の裏面および側面を包むようにスクライブ金属2および裏面金属3を形成する。このときガリウム砒素基板1の側面において、スクライブ金属2および裏面金属3が裏面から水平に付き出しているようにする。【効果】ガリウム砒素素子の両端をピンセットで挟んでパッケージに接着するとき、ピンセットが側面のスクライブ金属2および裏面金属3に接触する。スクライブ金属が広くガリウム砒素基板の側面に形成されているのではがれにくい。またピンセットの接触個所が裏面の周辺なので、ソルダーが付着しても表面まで上りにくい。

請求項（抜粋）：

素子形成が終了した半導体基板表面のスクライブ領域がエッチングされ、前記スクライブ領域およびその近傍を覆う第1の金属膜が形成され、前記半導体基板裏面を覆う第2の金属膜の周辺が前記第1の金属膜と接合されている電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-007182
特開昭60-127762

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