特許
J-GLOBAL ID：200903024550206074
シリコンのエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173467
公開番号（公開出願番号）：特開平8-013165
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：
【要約】【目的】 原子オーダの平坦性を保ちながら一層ごとにエッチングし、平坦度の高い表面をもつシリコン基板を得る。【構成】 NH4 F溶液に浸漬したSi基板にレストポテンシャル以下の電位を印加し、Si基板をエッチングする。NH4 F溶液としては、NH4 Fの濃度が10M以下である。また、シリコン基板に印加する電位は、レストポテンシャルからレストポテンシャルより-1.5Vvs. SCEカソード側の範囲にある。【効果】 原子レベルでの平坦度をもつことから、微細加工に適したシリコン基板となる。
請求項（抜粋）：
NH4 Fを含む溶液に浸漬したSi基板にレストポテンシャル以下の電位を印加し、前記Si基板を前記NH4 Fを含む溶液でエッチングすることを特徴とするシリコンのエッチング方法。
IPC (3件)：
C23F 1/24
, H01L 21/304 341
, H01L 21/308
