特許

J-GLOBAL ID：200903024559570240

半導体記憶装置

発明者： 河野 隆樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356076
公開番号（公開出願番号）：特開平5-174594
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は読み出し動作の高速性を向上させることである。【構成】 デジット線の電位に応答して、反転増幅器101が開閉用トランジスタQ2を開閉し、節点SCの電圧を変化させる。この節点SCは負荷用トランジスタQ3だけでなく、充電用トランジスタQ1から電流の供給を受ける。充電用トランジスタQ1のゲートは電源CCに接続されているので、電流駆動能力が高く、読み出し動作の高速性が向上する。

請求項（抜粋）：

記憶素子の記憶情報を伝達するデジット線と、前記デジット線の電圧を増幅する反転増幅器と、電源と第1の節点との間に接続された充電用電界効果型トランジスタと、前記第1の節点とデジット線との間に接続され、ゲートが前記反転増幅器の出力に接続された開閉用電界効果型トランジスタと、電源と前記第1の接点との間に接続された負荷トランジスタとを備えた半導体記憶装置において、前記充電用電界効果トランジスタのゲートを電源に接続したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 17/18 ,  H01L 27/10 481

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-161197
  
• 特開昭63-279497