特許
J-GLOBAL ID:200903024559841775

高誘電率ガラスセラミック

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-254937
公開番号(公開出願番号):特開平7-118060
出願日: 1993年09月17日
公開日(公表日): 1995年05月09日
要約:
【要約】【目的】 マイクロ波領域の周波数において高誘電率と低誘電損失を有し、且つ、低温で焼成可能であるため、電極や導体材料として銀や銅が使用可能であり、しかも高強度で、耐熱性が良好であり、マイクロ波用回路部品材料として好適な材料を提供することである。【構成】 0.1GHZ以上の周波数で、7.0以上の誘電率を有するガラス粉末30〜80体積%と、セラミック粉末20〜70体積%からなり、0.1GHZ以上の周波数で、10.0以上の誘電率と40×10-4以下の誘電損失を有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
モル%で、SiO2 を30〜80%、CaO、BaO、SrO、PbO、Bi2 O3 、K2 O、TiO2 、TeO2 、La2 O3 、WO3 の群から選択された1者あるいは2者以上を10〜60%、Al2 O3 、B2 O3、P2 O5 の群から選択された1者あるいは2者以上を0〜30%、ZrO2 、SnO2 、MgO、ZnO、CuO、Nb2 O5 、Nd2 O3 、Li2 O、Na2 Oの群から選択された1者あるいは2者以上を0〜30%含有し、0.1GHZ以上の周波数で、7.0以上の誘電率を有するガラス粉末30〜80体積%と、セラミック粉末20〜70体積%からなり、0.1GHZ以上の周波数で、10.0以上の誘電率と40×10-4以下の誘電損失を有することを特徴とする高誘電率ガラスセラミック。
IPC (5件):
C04B 35/16 ,  C03C 4/16 ,  C03C 14/00 ,  H01B 3/08 ,  H01P 7/10
引用特許:
審査官引用 (4件)
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