特許
J-GLOBAL ID：200903024569824291
レティクル、フォトリソグラフィの利用方法、パターニング方法およびフォトレジストプロファイルの形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-070236
公開番号（公開出願番号）：特開平10-020476
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 複数の入射光強度を透過させるマルチレベルレティクルおよびマルチレベルフォトレジストの製造方法を提供する。【解決手段】 複数の入射光強度を透過させるマルチレベルレティクル製造方法が提供される。次いで、これらの複数の入射光強度は、フォトレジストプロファイルにおいて複数の厚さを形成するために用いられる。レティクルの層のうちの1つの層として用いられる不完全透過性膜は、中間強度光を提供し得る。中間強度光は、レティクル基板層を通過する減衰されない光の強度と、レティクルの不透明層によって遮断された、完全に減衰された光の強度との間のほぼ中間の強度を有する。露出されたフォトレジストは、2つの強度の光を受光し、それによって、高い方の強度の光に応答して該レジスト中にビアホールを形成し、中間光強度に応答してフォトレジストの中間レベルにビアへの接続ラインを形成する。マルチレベルレティクルからマルチレベルレジストを形成する方法およびマルチレベルレティクル装置が提供される。
請求項（抜粋）：
感光性フォトレジスト表面上の所定の照明領域を規定するように入射光が通過するレティクルであって、第1の強度の透過光を生成する第1の透過レベル膜と、該第1の強度よりも大きい第2の強度の透過光を生成する第2の透過レベル膜と、該第2の強度よりも大きい第3の強度の透過光を生成する第3の透過レベル膜と、を備えたレティクル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 K
, H01L 21/469
